在近日發(fā)表于《自然通訊》期刊上的一篇文章中，該校研究人員找到了一種利用陽光來有效從水中分離氧分子的方法。

早在 1970 年代，就已經(jīng)有研究人員提出了利用太陽能來制氫的可能性。但由于無法找到有效催化的特殊材料，該方法遲遲未能流行開來。

光電陽極期間的幾何結構與功能示意

科克雷爾工程學院的電氣與計算機工程系教授 Edward Yu 表示：“你需要高效地吸收太陽能，同時確保材料不會在水解反應時被降解”。

事實證明，在水分解反應所需的條件下，善于吸收陽光的材料往往不夠穩(wěn)定，而穩(wěn)定的材料又常常對陽光的吸收能力較差。

研究配圖 - 1：金屬-絕緣體-半導體光陽極示意

這些矛盾點，使得研究人員必須在多方面有所折衷。但通過將多種材料組合到單體設備中，即可有效化解這種沖突。

此例中，研究團隊就結合了一種能夠高效吸收太陽能的材料(比如硅)，輔以穩(wěn)定性更好的另一種材料(例如二氧化硅)。

研究配圖 - 2：Al尖峰后的電阻變化

實際運用中，這又帶來了另一項挑戰(zhàn) —— 在硅中吸收太陽能所產生的電子和空穴，必須能夠輕松地穿過二氧化硅層。

一方面，這意味著層厚度不超過幾納米。但另一方面，它這又會降低其保護硅吸收劑免于降解的有效性。

研究配圖 - 3：Ni 電沉積的表征

好消息是，研究團隊找到了一種通過厚二氧化硅層來創(chuàng)建導電路徑的方法。新方案能夠低成本地運用，并擴展到大批量生產流程中。

為此，Edward Yu 及其團隊率先在半導體電子芯片制造工藝中運用了這項新技術。

研究配圖 - 4：Ni/90 nm SiO2/n-Si 光電層的 PEC 表征

通過鋁薄膜涂覆二氧化硅層，然后價格整個結構，以形成鋁“尖峰”陣列，并完全橋接二氧化硅層。然后就可輕易被鎳、或其它有助于催化水分解的材料所取代。

當受到陽光照射時，這些器件能夠有效地將讓水形成氧分子，同時在單獨的電極上產生氫氣，并在長時間運行期間表現(xiàn)出出色的穩(wěn)定性。

研究配圖 - 5：不同模型的潛在分布模擬

更棒的是，由于制造這些設備的技術，已被廣泛運用于半導體電子產品的制造，所以新裝置的大規(guī)模生產也將相當容易擴展。

目前該團隊已提交臨時專利申請，并期望盡快將該技術投入商業(yè)化。

研究配圖 - 6：Ni / SiO2 / P+n-Si 光電極的尖峰表征與模擬

有關這項研究的詳情，已經(jīng)發(fā)表在近日出版的《Nature Communications》期刊上。

原標題為《Scalable, highly stable Si-based metal-insulator-semiconductor photoanodes for water oxidation fabricated using thin-film reactions and electrodeposition》。